标准征求意见！2项AlN抛光片测试方法+ UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见！

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近日，第三代半导体产业技术创新战略联盟相继完成3项团体标准征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。

》》UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见

2025年1月23日，由电子科技大学牵头起草的标准T/CASAS 052—202X《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括测试原理、测试条件、测试程序、数据处理和试验报告。

本文件适用于适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。

电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为四川省功率半导体技术工程研究中心，是电子薄膜与集成器件全国重点实验室和电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。现有18名教授/研究员、9名副教授/副研究员，285名在读全日制硕士研究生和69名博士研究生，被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和 “功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。在团队负责人张波教授的带领下，该实验室两次牵头取得国家科学技术进步奖二等奖和四川省科学技术进步奖一等奖，共获省部级以上科研奖励15项。近年来，实验室共发表SCI收录论文500余篇，获授权发明专利1462项。同时，其产学研合作成效显著，部分产品打破国外垄断、实现批量生产，为企业新增直接经济效益超过百亿元，推动了我国功率半导体行业的发展。

》》2项AlN抛光片测试方法征求意见

2025年1月23日，由奥趋光电技术（杭州）有限公司牵头起草的标准T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》、由中国科学院半导体研究所牵头起草的标准T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位。非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化铝晶片位错密度检测方法 腐蚀坑密度测量法》描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法，包括方法原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。本文件适用于抛光加工后位错密度小于10*7 个/cm²的氮化铝抛光片位错密度的测试，适用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化铝晶片吸收系数测试方法》描述了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测试方法，包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。本文件适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。

（转自：第三代半导体产业）